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参数名词词典（中英文）
Parameter Glossary
选型 90% 的时间是在读 Datasheet 的表格。本词典按器件类别把常见参数的中文名、英文全称、符号与含义对照列出，并标注"选型时真正要盯的那一两个"。
参数中英文DatasheetGBWPSRRESRRds(on)参数对照
通用与质量类
| 中文名 | 英文名 | 符号 / 常见写法 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 型号 | Part Number | P/N、MPN | 原厂完整订货型号。后缀往往代表封装、温度等级、包装方式，不能省略 |
| 封装 | Package | PKG | 外形与引脚形式，直接决定 PCB 焊盘与散热 |
| 工作温度范围 | Operating Temperature Range | Topr | 商业级 0~70℃ / 工业级 −40~85℃ / 车规 −40~125℃。低温启动与高温降额都要看 |
| 存储温度 | Storage Temperature | Tstg | 未通电存储范围，一般比工作范围更宽 |
| 最大额定值 | Absolute Maximum Ratings | AMR | 不可超越的极限，仅表示"不立即损坏"，不等于可长期工作 |
| 推荐工作条件 | Recommended Operating Conditions | ROC | 真正设计应落在这一区间内 |
| 结温 | Junction Temperature | Tj、Tj(max) | 芯片内部实际温度。Tj = Ta + P×Rθja |
| 热阻 | Thermal Resistance | Rθja / Rθjc / Rθjb | 结到环境/外壳/板的热阻（℃/W），越小越利于散热 |
| 静电放电等级 | ESD Withstand | HBM / CDM / MM | 人体模型、器件充电模型。产线与包装都要按此防护 |
| 潮湿敏感等级 | Moisture Sensitivity Level | MSL 1~6 | MSL 越高越易吸潮，需按规定烘烤后限时上线 |
| 无铅/无卤 | Pb-Free / Halogen-Free | RoHS、HF | 环保合规要求，出口欧盟必查 |
| 可靠性认证 | Qualification | AEC-Q100/Q101/Q200、UL、CE、CQC | 车规、安规、国网入网等场景的准入条件 |
| 平均无故障时间 | Mean Time Between Failures | MTBF | 可靠性预测值，用于设备整机寿命评估 |
电源管理类（LDO / DC-DC / PMIC）
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | Input Voltage Range | Vin | 必须覆盖最高输入（含浪涌）与最低输入（含电池尾电压） |
| 输出电压 | Output Voltage | Vout / VOUT | 固定或可调（ADJ）。可调型由 FB 分压电阻决定 |
| 输出电流能力 | Output Current | Iout / IOUT(max) | 注意这是在特定压差与温度条件下的值，非全程保证 |
| 压差 | Dropout Voltage | Vdo | LDO 专有。Vin−Vout 低于此值时失去调整能力 |
| 静态电流 | Quiescent Current | Iq / IQ | 无负载自身耗流，电池供电设备的关键指标，越低越好 |
| 关断电流 | Shutdown Current | Isd | 使能脚拉低时的漏电，通常 μA 或 nA 级 |
| 电源抑制比 | Power Supply Rejection Ratio | PSRR / PSRR@1kHz | 对输入纹波的抑制能力，单位 dB，越高越好。音频/射频供电必看 |
| 效率 | Efficiency | η | 输出功率/输入功率。DC-DC 通常 85%~97% |
| 开关频率 | Switching Frequency | fsw / fSW | 越高则电感电容越小，但开关损耗越大 |
| 占空比 | Duty Cycle | D | 开关管导通时间占比，Buck：Vout≈D×Vin |
| 纹波 | Output Ripple | Vripple / Vpp | 输出交流分量峰峰值，与电感、电容 ESR 直接相关 |
| 线性调整率 | Line Regulation | ΔVout/ΔVin | 输入变化引起的输出偏差，越小越稳 |
| 负载调整率 | Load Regulation | ΔVout/ΔIout | 负载变化引起的输出偏差 |
| 负载瞬态响应 | Load Transient Response | ΔVtr | 负载阶跃时的过冲/下冲幅度与恢复时间 |
| 软启动 | Soft Start | SS | 限制上电时的电流冲击，SS 脚外接电容可调时间 |
| 欠压锁定 | Under Voltage Lockout | UVLO | 输入过低时禁止工作，防止误动作 |
| 过压/过流/过温保护 | Over Voltage / Current / Temperature Protection | OVP / OCP / OTP | 保护功能，工业与车规产品必备 |
| 使能脚 | Enable | EN / SHDN | 开关控制脚，电平有效逻辑（高有效/低有效）要确认 |
| 电流限制 | Current Limit | ILIM | 限流阈值，决定能带多大的感性/容性负载 |
| 反馈电压 | Feedback Voltage | Vfb / VREF | 误差放大器基准，用于计算分压比 |
| 上管导通电阻 | High-Side On-Resistance | Rds(on)_HS | 集成开关型 DC-DC 的关键，决定效率与发热 |
放大器 / 比较器类
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 增益带宽积 | Gain Bandwidth Product | GBW / GBP | 开环增益为 1 时的频率。决定某增益下可用带宽：BW = GBW/闭环增益 |
| 压摆率 | Slew Rate | SR | 输出电压最大变化速率（V/μs）。大信号/方波应用必须够用 |
| 输入失调电压 | Input Offset Voltage | Vos / VIO | 两输入间的等效误差电压。直流精度场景的核心指标 |
| 失调电压温漂 | Offset Voltage Drift | ΔVos/ΔT | 单位 μV/℃。高温环境下的精度决定因素 |
| 输入偏置电流 | Input Bias Current | Ib | 流入输入端的电流，高阻源（如 pH、光电）场合极关键 |
| 输入失调电流 | Input Offset Current | Ios | 两输入偏置电流之差 |
| 共模抑制比 | Common Mode Rejection Ratio | CMRR | 对共模干扰的抑制，dB，越高越好 |
| 电源抑制比 | Power Supply Rejection Ratio | PSRR | 对电源波动的抑制能力，dB |
| 开环增益 | Open Loop Gain | Avol / AVOL | 通常 100dB 以上，越大则闭环误差越小 |
| 共模输入范围 | Common Mode Input Range | Vcm / CMVR | 可用输入电压区间；含"到轨"（Rail-to-Rail）则为满摆幅 |
| 输出摆幅 | Output Voltage Swing | Vout swing | 输出能接近电源轨的程度，注意带载后会收缩 |
| 轨到轨 | Rail-to-Rail | R2R / RRIO | 输入/输出可到电源轨。RRIO = 输入输出均到轨 |
| 电压噪声密度 | Voltage Noise Density | en | nV/√Hz。微弱信号放大必算，配合带宽求总噪声 |
| 电流噪声密度 | Current Noise Density | in | pA/√Hz，高阻源场合重点关注 |
| 总谐波失真加噪声 | Total Harmonic Distortion + Noise | THD+N | 音频与精密测量的失真指标，dB 或 % |
| 单位增益稳定 | Unity Gain Stable | — | 是否允许做跟随器。非单位增益稳定的运放会振荡 |
| 容性负载驱动能力 | Capacitive Load Drive | CL(max) | 能直接驱动多大电容，不足需串隔离电阻 |
| 传播延迟 | Propagation Delay | tPD | 比较器专有。从输入过阈值到输出翻转的时间 |
| 迟滞 | Hysteresis | Vhys | 比较器的回差电压，用于抑制噪声引起的抖动 |
| 输出类型 | Output Type | Push-Pull / Open-Drain | 开漏需外接上拉电阻，可做电平转换与线与 |
数据转换器（ADC / DAC）
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 分辨率 | Resolution | N bit | 位数。理论 LSB = FSR / 2^N，但实际精度低于理论值 |
| 采样率 | Sampling Rate | fs / fS | 每秒采样次数。必须满足奈奎斯特，工程上常取 5~10 倍信号带宽 |
| 积分非线性 | Integral Non-Linearity | INL | 实际转换曲线与理想直线的最大偏差，单位 LSB |
| 微分非线性 | Differential Non-Linearity | DNL | 相邻码步长偏差。DNL < −1 LSB 意味着可能丢码 |
| 信噪比 | Signal to Noise Ratio | SNR | 基波与噪声之比（不含谐波），dB |
| 信纳比 | Signal to Noise and Distortion | SINAD | 含谐波失真的综合指标，dB |
| 有效位数 | Effective Number of Bits | ENOB | ENOB ≈ (SINAD − 1.76) / 6.02，衡量真实可用精度 |
| 无杂散动态范围 | Spurious Free Dynamic Range | SFDR | 基波与最大杂散之差，dBc |
| 建立时间 | Settling Time | ts | DAC 输出稳定到指定误差带所需时间 |
| 增益误差 | Gain Error | — | 满量程斜率偏差，可校准 |
| 失调误差 | Offset Error | — | 零输入时的非零输出，可校准 |
| 基准电压 | Reference Voltage | VREF | 转换的标尺。基准精度直接决定绝对精度 |
| 输入类型 | Input Type | Single-ended / Differential | 差分输入抗共模干扰更好，适合小信号 |
| 接口类型 | Interface | SPI / I2C / Parallel / LVDS | 决定 MCU 侧资源与速率 |
MOSFET / IGBT / 三极管
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Drain-Source Voltage | VDS / VDSS | 耐压，实际使用建议降额至 80% 以内 |
| 栅源阈值电压 | Gate Threshold Voltage | VGS(th) | 刚开始导通的栅压。逻辑电平管一般 ≤ 2.5V |
| 导通电阻 | Drain-Source On-Resistance | RDS(on) | 导通损耗 P = I²×RDS(on)。注意手册值多在 VGS=10V、25℃ 条件下 |
| 漏极电流 | Continuous Drain Current | ID | 连续电流，通常在 Tc=25℃ 且理想散热条件下 |
| 脉冲漏极电流 | Pulsed Drain Current | IDM | 短时脉冲能力，看脉宽与占空比条件 |
| 栅极总电荷 | Total Gate Charge | Qg | 驱动损耗与驱动能力的需求来源：P = Qg×Vgs×f |
| 输入/输出/反向传输电容 | Input / Output / Reverse Transfer Capacitance | Ciss / Coss / Crss | Ciss 影响开通速度，Crss（米勒电容）影响开关损耗与误导通 |
| 米勒平台 | Miller Plateau | — | 开关过程中栅压停滞段，是开关损耗的主要来源 |
| 导通延迟/上升/关断延迟/下降时间 | td(on) / tr / td(off) / tf | — | 开关时序，计算开关损耗的基础 |
| 雪崩能量 | Avalanche Energy | EAS | 感性负载关断时的耐受能力，电机/继电器驱动必看 |
| 安全工作区 | Safe Operating Area | SOA | 电压电流时间的组合边界，线性区应用必须校核 |
| 功耗 | Power Dissipation | PD | 配合热阻计算结温，切勿只看电流 |
| 集电极-发射极电压 | Collector-Emitter Voltage | VCEO | BJT/IGBT 耐压 |
| 集电极电流 | Collector Current | IC | 连续电流 |
| 直流电流增益 | DC Current Gain | hFE / β | BJT 放大能力，随 IC 与温度变化很大 |
| 饱和压降 | Collector-Emitter Saturation Voltage | VCE(sat) | 导通的固定压降，决定导通损耗 |
| 特征频率 | Transition Frequency | fT | 增益降到 1 的频率，判断高频能力 |
| 栅极-发射极电压 | Gate-Emitter Voltage | VGE / VGE(th) | IGBT 栅极驱动参数，驱动电压不足会进入线性区而过热 |
| 短路耐受时间 | Short Circuit Withstand Time | tsc | IGBT 专有，通常 6~10μs，用于设计保护响应 |
二极管与保护器件
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 正向压降 | Forward Voltage | VF | 导通压降。肖特基约 0.3~0.5V，硅 PN 约 0.7~1.1V |
| 反向重复峰值电压 | Repetitive Peak Reverse Voltage | VRRM | 耐压上限，建议降额 70%~80% 使用 |
| 平均整流电流 | Average Rectified Current | IF(AV) | 连续通流能力，受散热与安装方式影响 |
| 正向浪涌电流 | Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | IFSM | 抗浪涌能力（常按 8.3ms 半正弦波给出），用于评估开机冲击 |
| 反向漏电流 | Reverse Leakage Current | IR | 关断时漏电，高温下会成倍上升 |
| 反向恢复时间 | Reverse Recovery Time | trr | 从导通到截止的过渡时间，开关电源必看。快恢复 < 500ns |
| 反向恢复电荷 | Reverse Recovery Charge | Qrr | 影响开关损耗与 EMI，越低越好 |
| 稳压值 | Zener Voltage | VZ | 齐纳二极管的工作电压，注意测试电流 IZT 条件 |
| 动态电阻 | Dynamic Resistance | ZZ / RZ | 稳压曲线斜率，越小稳压效果越好 |
| 钳位电压 | Clamping Voltage | VC / VCL | TVS 在指定浪涌电流下的钳位电压，须低于被保护器件的耐压 |
| 反向工作电压（关断电压） | Reverse Standoff Voltage | VRWM | TVS 正常不漏电的最高电压，应高于信号/电源最高工作电压 |
| 击穿电压 | Breakdown Voltage | VBR | TVS 开始导通的电压 |
| 峰值脉冲功率 | Peak Pulse Power | PPP | 常按 8/20μs 或 10/1000μs 波形标定，不同波形不可直接比较 |
| 峰值脉冲电流 | Peak Pulse Current | IPP | 浪涌电流能力，与波形条件绑定 |
| 结电容 | Junction Capacitance | CJ / CT | 高速信号口（USB、HDMI）必须选低电容 TVS，否则信号劣化 |
| 热熔断体温度 | Thermal Cutoff Temperature | Tf | 一次性熔断温度，用于过热保护 |
| 额定电压 / 分断能力 | Rated Voltage / Breaking Capacity | — | 保险丝与断路器核心指标，分断能力不足会炸裂 |
电容器
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 电容量 | Capacitance | C | 标称容值，随温度、电压、频率变化 |
| 容差 | Tolerance | ±% | II 类陶瓷可达 ±20%，精密滤波需选 C0G/NP0 或 ±5% |
| 额定电压 | Rated Voltage | VDC | 直流耐压。MLCC 建议降额 50% 以上以降低直流偏压损失 |
| 等效串联电阻 | Equivalent Series Resistance | ESR | 纹波电流引起的发热源。开关电源输出电容的关键指标，越低越好 |
| 等效串联电感 | Equivalent Series Inductance | ESL | 限制高频旁路性能，高频去耦靠小封装低 ESL |
| 纹波电流 | Ripple Current | IRAC / Iripple | 电解电容允许的交流电流有效值，超限会鼓包失效 |
| 损耗角正切 | Dissipation Factor | DF / tanδ | 介质损耗，越小越高频越好 |
| 温度系数 | Temperature Coefficient | Class I：C0G/NP0；Class II：X7R/X5R/Y5V | C0G 最稳，X7R 次之（−55~125℃容差 ±15%），Y5V 变化极大 |
| 直流偏压特性 | DC Bias Characteristic | — | MLCC 加直流电压后容值骤降，选型需看去偏压曲线 |
| 漏电流 | Leakage Current | IL | 电解/钽电容常见，影响低功耗与保持电路 |
| 寿命 | Load Life / Service Life | — | 电解电容常标注 2000h@105℃，温度每降 10℃ 寿命约翻倍 |
| 充放电次数 | Cycle Life | — | 超级电容与电池类关注 |
| 绝缘电阻 | Insulation Resistance | IR | 漏电程度，影响采样与保持精度 |
电阻器 / 电位器
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 阻值 | Resistance | R | 标称阻值，按 E24/E96 系列取值 |
| 电阻精度 | Tolerance | ±% | ±1% 为常用精密级，±0.1% 用于仪表 |
| 额定功率 | Power Rating | P | 70℃ 以上须降额曲线修正，实际留 50% 余量 |
| 温度系数 | Temperature Coefficient of Resistance | TCR（ppm/℃） | 精密采样电阻必看，如 50ppm/℃ 在 100℃ 变化 0.4% |
| 最大工作电压 | Maximum Working Voltage | Vmax | 高压场合由耐压而非功率决定选型 |
| 电流噪声 | Current Noise | — | 厚膜大于薄膜，高增益放大场合需注意 |
| 电压系数 | Voltage Coefficient | ppm/V | 高压下阻值漂移 |
| 阻值范围 | Resistance Range | — | 电位器可调范围与步进分辨率 |
| 线性度 / 阻值曲线 | Linearity / Taper | A（对数）B（线性）C（指数） | 音量控制用 A 型，位置检测用 B 型 |
| 额定功率（电位器） | Rated Power | — | 整体可承受功率，不等于每段可承受 |
| 机械寿命 | Rotational / Mechanical Life | cycles | 旋转次数，工业面板常要求 10 万次以上 |
| 可调分辨率 | Resolution | — | 微调电位器分辨力，影响校准精度 |
电感器 / 磁珠 / 变压器
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 电感量 | Inductance | L | 标称值，通常 ±20% 精度 |
| 直流电阻 | DC Resistance | DCR | 铜损来源，决定发热与效率，越低越好但体积更大 |
| 饱和电流 | Saturation Current | Isat | 感量下降 10%~30% 时的电流，超过即失去滤波能力 |
| 温升电流 | Temperature Rise Current | Irms / IDC | 使温升达 40℃ 的电流，与 Isat 取小者 |
| 自谐振频率 | Self-Resonant Frequency | SRF | 超过此频率电感呈容性，滤波应用必须工作在 SRF 以下 |
| 品质因数 | Quality Factor | Q | 感抗/损耗，谐振与射频场合关键 |
| 阻抗（磁珠） | Impedance | Z@100MHz | 磁珠用特定频率阻抗标定，如 600Ω@100MHz |
| 额定电流（磁珠） | Rated Current | — | 超限会饱和失效，直流电阻随之升高 |
| 共模阻抗 | Common Mode Impedance | Zcm | 共模扼流圈指标，抑制共模噪声 |
| 差模阻抗 | Differential Mode Impedance | Zdm | 希望越小越好，否则影响有用信号 |
| 变比 | Turns Ratio | Np:Ns | 变压器初次级匝比，决定电压变换 |
| 漏感 | Leakage Inductance | Lk | 引起尖峰与损耗，反激电源重点关注 |
| 耦合系数 | Coupling Coefficient | k | 越接近 1 越好 |
晶体 / 振荡器 / 谐振器
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 标称频率 | Nominal Frequency | f0 | 目标频率，如 8MHz / 32.768kHz |
| 频率容差 | Frequency Tolerance | Δf/f0（ppm） | 25℃ 下的初始偏差 |
| 频率稳定度 | Frequency Stability | ppm | 全温度范围内的漂移量，工业级常为 ±20~50ppm |
| 负载电容 | Load Capacitance | CL | 无源晶振必须与匹配电容一致，否则频率偏移 |
| 等效串联电阻 | Equivalent Series Resistance | ESR | 过大则难以起振，低功耗设计要点 |
| 激励功率 | Drive Level | DL（μW） | 过驱会加速老化甚至损坏晶片 |
| 老化率 | Aging | ppm/年 | 长期频率漂移 |
| 牵引范围 | Pullability | ppm/pF | VCXO/TXCO 可调范围 |
| 频率牵引范围 | Pulling Range | ±ppm | 压控振荡器可控范围 |
| 相位噪声 | Phase Noise | dBc/Hz@offset | 通信与射频系统关键指标 |
| 抖动 | Jitter | RMS ps / pk-pk ps | 时钟抖动直接影响高速接口误码率 |
| 输出类型 | Output Type | CMOS / LVDS / LVPECL / HCSL | 有源晶振输出的电平标准，需与接收端匹配 |
| 占空比 | Duty Cycle | — | 一般为 45%~55%，影响时序裕量 |
| 供电电压 | Supply Voltage | VDD | 有源晶振典型 1.8/2.5/3.3V |
隔离器件（光耦 / 数字隔离器）
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 电流传输比 | Current Transfer Ratio | CTR | 光耦专有，输出电流/输入电流之比，随温度与老化衰减 |
| 隔离电压 | Isolation Voltage | VISO（Vrms/1min） | 如 3750Vrms、5000Vrms，安规设计的硬指标 |
| 爬电距离 / 电气间隙 | Creepage / Clearance | — | 安规要求，封装宽度直接相关（宽体 > 窄体） |
| 共模瞬态抗扰度 | Common Mode Transient Immunity | CMTI（kV/μs） | 数字隔离器核心指标，电机驱动场合尤其重要 |
| 数据速率 | Data Rate | Mbps | 数字隔离器吞吐能力 |
| 传播延迟 | Propagation Delay | tPHL / tPLH | 信号穿越隔离栅的时间，影响时序与死区 |
| 脉宽失真 | Pulse Width Distortion | PWD | 上升/下降延迟之差，影响占空比精度 |
| 隔离供电 | Isolated Supply | — | 隔离侧是否需要独立电源，决定是否选带电源的隔离模块 |
| 工作寿命 | Operating Life | hours | 光耦 LED 会老化，长期高温应用需降额 |
| 绝缘材料类别 | Insulation Class | — | 基本/加强绝缘，决定能否满足 60950/IEC 62368 |
继电器 / 开关 / 连接器
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 触点形式 | Contact Form | SPST / SPDT / DPDT | 常开 NO、常闭 NC、转换 CO 的组数与排列 |
| 触点额定负载 | Contact Rating | — | 如 5A/250VAC、10A/30VDC。交流与直流能力不同，直流更难灭弧 |
| 线圈额定电压 | Coil Nominal Voltage | — | 如 5V/12V/24VDC |
| 线圈电阻 / 功耗 | Coil Resistance / Power | — | 决定驱动电流，影响驱动管与保持电路选择 |
| 吸合电压 / 释放电压 | Pick-up / Drop-out Voltage | — | 通常为额定值的 75% / 10%，低电压场合要留裕量 |
| 动作 / 释放时间 | Operate / Release Time | ms | 影响响应速度与程序时序 |
| 电气寿命 | Electrical Life | cycles | 额定负载下的动作次数，通常 10 万次级 |
| 机械寿命 | Mechanical Life | cycles | 空载动作次数，通常 1000 万次级 |
| 接触电阻 | Contact Resistance | mΩ | 影响压降与发热 |
| 绝缘电阻 / 耐压 | Insulation Resistance / Dielectric Strength | — | 触点与线圈之间、触点组之间 |
| 芯数与间距 | Positions / Pitch | Pin、mm | 连接器最基本的两项，决定能否装得下 |
| 额定电流 / 电压 | Current / Voltage Rating | A / V | 降额使用，多芯同时通电还要考虑温升叠加 |
| 插拔寿命 | Mating Cycles | cycles | 板对板与 FPC 连接器的重要指标 |
| 防护等级 | Ingress Protection | IP67 / IP68 | 户外与工业现场的防护要求 |
逻辑 / 接口 / 存储
| 中文名 | 英文名 | 符号 | 含义与选型要点 |
|---|---|---|---|
| 高电平输入电压 | High-level Input Voltage | VIH | 保证被识别为 1 的最低电压，一般 ≥0.7×VDD |
| 低电平输入电压 | Low-level Input Voltage | VIL | 保证被识别为 0 的最高电压，一般 ≤0.3×VDD |
| 高电平输出电压 | High-level Output Voltage | VOH | 带载后输出的实际高电平，VOH(min) 决定驱动兼容性 |
| 低电平输出电压 | Low-level Output Voltage | VOL | 带载后输出的实际低电平 |
| 输出驱动电流 | Output Drive Current | IOH / IOL | 扇出能力的基础，驱动 LED 或长线要校核 |
| 传播延迟 | Propagation Delay | tpd | 逻辑门速度，多级串联影响关键路径 |
| 上升 / 下降时间 | Rise / Fall Time | tr / tf | 边沿速率，过快会带来 EMI 与串扰 |
| 扇出 | Fan-out | — | 一个输出能可靠驱动的输入个数 |
| 数据速率 | Data Rate | bps / Mbps | 接口芯片的吞吐能力，需与总线/线缆能力匹配 |
| 共模输入范围（收发器） | Common Mode Range | Vcm | RS485/CAN 收发器在共模偏移下仍能正常通信的范围 |
| ESD 保护（接口） | IEC 61000-4-2 Level | ±kV | 接口芯片是否内置 IEC 级 ESD 防护，不满足需外加 TVS |
| 故障保护 | Fail-Safe | — | 总线空闲/短路时的确定输出状态 |
| 擦写次数 | Endurance | cycles | Flash/EEPROM 关键寿命指标，通常 10 万~100 万次 |
| 数据保持 | Data Retention | years | 断电后数据可保存年限，通常 10~20 年 |
| 读/写速度 | Access Time / Clock Frequency | ns / MHz | SPI Flash 常以 MHz 标定，需与 MCU 主频匹配 |
| 页 / 扇区大小 | Page / Sector Size | Byte | 影响写入策略与磨损均衡 |
采购与供货术语
| 中文名 | 英文名 / 缩写 | 含义 |
|---|---|---|
| 最小起订量 | MOQ (Minimum Order Quantity) | 供应商接受的最小订货数量 |
| 最小包装量 | MPQ / SPQ (Minimum Packing Quantity) | 原厂整包装数量，通常不可拆包 |
| 订单倍数 | Order Multiple | 下单数量必须为该值的整数倍（如整卷 3000 只） |
| 货期 | Lead Time / L/T | 下单到交货周期，期货常见 8~16 周，紧缺时可超 30 周 |
| 现货 / 期货 | Spot / Backlog | 现货即现有库存；期货指原厂排产交货 |
| 阶梯价 | Quantity Price Break | 按数量分档定价，量越大单价越低 |
| 价格有效期 | Price Validity | 报价有效期，原材料波动期常仅 7~30 天 |
| 呆料 / 尾料 | Excess / Short Reel | 客户积压余料或不足整卷的余量，价格低但一致性风险高 |
| 生产日期码 | Date Code (D/C) | 生产批次年月，如 2418 = 2024 年第 18 周 |
| 批次号 | Lot Code | 可追溯的生产批次标识，质量问题溯源依据 |
| 合格证明 | COC / COA | 合格证书 / 分析证书，前者证明符合规格，后者含检测数据 |
| 物料变更通知 | PCN (Product Change Notification) | 原厂工艺/材料变更通知，需评估后重新验证 |
| 停产通知 | EOL (End of Life) | 产品停产，需做最后一次采购（LTB） |
| 不建议用于新设计 | NRND (Not Recommended for New Design) | 老型号，仍可供货但不宜新项目使用 |
| 原厂 / 授权代理 / 独立分销 | OEM / Authorized Distributor / Independent Distributor | 渠道层级，授权渠道质保与追溯最完整 |
| 原产地 | Country of Origin (COO) | 影响关税与合规，出口业务必查 |
| 包装形式 | Packaging | 卷盘 Reel、料管 Tube、托盘 Tray、袋装 Bag |
提示：一句话记住：选型看电气参数（能不用），采购看供货参数（能不能买到、多少钱、多久到）。两者缺一不可。