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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 交期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3K56MFV,L3F | Toshiba | - | SSM3K56MFV,L3F | ¥0.1583 | 4878+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM4N65C | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM4N65C，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)650、连续漏极电流ID(A)2.5、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥0.1619 | 3.7万+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N65D新 | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM2N65D，TO-252封装，漏源耐压VDS(V)650、连续漏极电流ID(A)1.3、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥0.1619 | 1702+ | 现货 1-3 天 | |
| CJ2306 | 江苏长晶 JSCJ | SOT-23 | 1个N沟道 耐压:30V | ¥0.1960 | 仅剩 4 | 现货 1-3 天 | |
| STN3NF06 | ST意法半导体 | SOT-223 | - | ¥0.2403 | 5488+ | 现货 1-3 天 | |
| STS5NF60L | ST意法半导体 | SO-8 | - | ¥0.2574 | 4232+ | 现货 1-3 天 | |
| SSM3K56ACT,L3F | Toshiba | - | SSM3K56ACT,L3F | ¥0.3236 | 仅剩 15 | 现货 1-3 天 | |
| SVF4N65CAM | 士兰微 | - | SVF4N65CAM | ¥0.4338 | 仅剩 40 | 现货 1-3 天 | |
| SSM6J511NU,LF | Toshiba | - | SSM6J511NU,LF | ¥0.4558 | 1.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| STD17NF25 | ST意法半导体 | DPAK | - | ¥0.4634 | 2296+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF2N60RMJ | 士兰微 | - | SVF2N60RMJ | ¥0.4830 | 仅剩 17 | 现货 1-3 天 | |
| SVF840F | 士兰微 | - | SVF840F | ¥0.5316 | 260+ | 现货 1-3 天 | |
| SSM3K123TU,LF | Toshiba | - | SSM3K123TU,LF | ¥0.5377 | 2731+ | 现货 1-3 天 | |
| STD25NF04 | ST意法半导体 | DPAK | - | ¥0.6006 | 5066+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF4N65CAF | 士兰微 | - | SVF4N65CAF | ¥0.6517 | 仅剩 65 | 现货 1-3 天 | |
| SVF7N65F | 士兰微 | - | SVF7N65F | ¥0.6612 | 826+ | 现货 1-3 天 | |
| IRFU5505 | 杰盛微 | TO-251 | 杰盛微场效应MOS IRFU5505，TO-251封装，漏源耐压VDS(V)60、连续漏极电流ID(A)-20、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应 | ¥0.7337 | 3.8万+ | 现货 1-3 天 | |
| STS9D8NH3LL | ST意法半导体 | SO-8 | - | ¥0.8580 | 2186+ | 现货 1-3 天 | |
| STW45NM50 | ST意法半导体 | TO-247 | - | ¥0.9438 | 741+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N60F | 杰盛微 | TO-220F | 杰盛微场效应MOS JSM2N60F，TO-220F封装，漏源耐压VDS(V)600、连续漏极电流ID(A)1.3、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥1.07 | 1.5万+ | 现货 1-3 天 |