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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 交期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WML13N80M3 | 维安 | TO-220F | 800V,电流:13A,耐压:850V | ¥2.49 | 9.8万+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM4606A新 | 杰盛微 | SOP8 | 杰盛微场效应MOS JSM4606A,SOP8封装,漏源耐压VDS(V)30、连续漏极电流ID(A)-6.0、栅源电压VGS(±V)±20,国产替代优选,现货供应 | ¥2.57 | 4.7万+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM75N75B | 杰盛微 | TO-263 | 杰盛微场效应MOS JSM75N75B,TO-263封装,漏源耐压VDS(V)75、连续漏极电流ID(A)60、栅源电压VGS(±V)±25,国产替代优选,现货供应 | ¥2.73 | 1.0万+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM125N04D | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM125N04D,TO-252封装,漏源耐压VDS(V)40、连续漏极电流ID(A)85、栅源电压VGS(±V)±20,国产替代优选,现货供应 | ¥2.76 | 1.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| WML28N65F2 | 维安 | TO-220F | 650V超结功率MOSFET | ¥2.84 | 258+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N90C | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM2N90C,TO-220封装,漏源耐压VDS(V)900、连续漏极电流ID(A)1.08、栅源电压VGS(±V)±30,国产替代优选,现货供应 | ¥3.22 | 1.2万+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF3205PBF热 | Vishay | TO-220 | N沟道功率MOSFET,55V耐压,110A电流,8mΩ导通电阻,适用于大电流开关和电机驱动。 | ¥3.27 | 8500+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM40N06D | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM40N06D,TO-252封装,漏源耐压VDS(V)60、连续漏极电流ID(A)20、栅源电压VGS(±V)±20,国产替代优选,现货供应 | ¥3.33 | 3.3万+ | 现货 1-3 天 | |
| WML25N65EM | 维安 | TO-220F | 650V超结功率MOSFET | ¥3.45 | 仅剩 50 | 现货 1-3 天 | |
| WML80R350S | 维安 | TO-220F | 800V、0.27Ω超结功率MOSFET | ¥3.82 | 531+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO10N100C2 | 维安 | TO-252 | WMO10N100C2 | ¥3.97 | 仅剩 15 | 现货 1-3 天 | |
| JSM75N75C热新 | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM75N75C,TO-220封装,漏源耐压VDS(V)75、连续漏极电流ID(A)52、栅源电压VGS(±V)±25,国产替代优选,现货供应 | ¥4.10 | 2.0万+ | 现货 1-3 天 | |
| 2SK3018 | 江苏长晶 JSCJ | SOT-23 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA | ¥0.0500 | 11.9万+ | 现货 1-3 天 | |
| NCE0110A新 | NCE新洁能 | SOT-23 | N沟道小信号MOS,20V/1A,SOT-23封装信号开关 | ¥0.0517 | 9.2万+ | 现货 1-3 天 | |
| LPM2302B3F | 微源半导体 | - | LPM2302B3F | ¥0.1104 | 558+ | 现货 1-3 天 | |
| PPMUT20V3 | 芯导科技 Prisemi | - | PPMUT20V3 | ¥0.1205 | 仅剩 2 | 现货 1-3 天 | |
| LPM2301B3F | 微源半导体 | - | LPM2301B3F | ¥0.1250 | 仅剩 15 | 现货 1-3 天 | |
| LPM3413B3F | 微源半导体 | - | LPM3413B3F | ¥0.1280 | 1447+ | 现货 1-3 天 | |
| LPM9926SOF | 微源半导体 | - | LPM9926SOF | ¥0.1364 | 2410+ | 现货 1-3 天 | |
| SSM3K15AFU,LF | Toshiba | - | SSM3K15AFU,LF | ¥0.1525 | 1.5万+ | 现货 1-3 天 |