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共 16876 个商品

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型号	品牌	封装	描述	单价	库存	交期	操作
ITA12N65R	华润微 CR Micro	TO-220F	N沟道,电流:12A,耐压:650V	¥1.35 付款前请与客服确认库存和价格	2.0万+	订货 7-15 天	替代料
WMN26N60C4	维安	TO-262-3	1个N沟道耐压:600V 电流:18A	¥1.41	17.6万+	现货 1-3 天	替代料
WML15N70C4	维安	TO-220F	700V、0.26Ω超结功率MOSFET	¥1.43	仅剩 33	现货 1-3 天	替代料
WML26N60C4	维安	TO-220F	600V、0.16Ω超结功率MOSFET	¥1.47	5.6万+	现货 1-3 天	替代料
JSM80N08C	杰盛微	TO-220	杰盛微场效应MOS JSM80N08C，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)80、连续漏极电流ID(A)80、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应	¥1.49	3.1万+	现货 1-3 天	替代料
SVS11N65FJD2	士兰微	-	SVS11N65FJD2	¥1.49	仅剩 12	现货 1-3 天	替代料
WMB115N15HG4	维安	PDFN5060-8L	150V N沟道增强型功率MOSFET	¥1.49	仅剩 1	现货 1-3 天	替代料
WML15N70C2	维安	TO-220F	700V 12A	¥1.56	731+	现货 1-3 天	替代料
JSM12N10D	杰盛微	TO252	杰盛微场效应MOS JSM12N10D，TO252封装，漏源耐压VDS(V)100、连续漏极电流ID(A)12、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应	¥1.59	4.7万+	现货 1-3 天	替代料
TK10A60D(STA4,Q,M)	Toshiba	-	TK10A60D(STA4,Q,M)	¥1.69	仅剩 32	现货 1-3 天	替代料
ZXTN19020新	杰盛微	SOT-23	杰盛微场效应MOS ZXTN19020，SOT-23封装，国产替代优选，现货供应	¥1.72	6546+	现货 1-3 天	替代料
CS18N50FA9R	华润微 CR Micro	TO-220F-3	N沟道,电流:18A,耐压:500V	¥1.72 付款前请与客服确认库存和价格	2.0万+	订货 7-15 天	替代料
FTP20N60A	华润微 CR Micro	TO-220	N沟道,电流:20A,耐压:600V	¥1.97 付款前请与客服确认库存和价格	2.0万+	订货 7-15 天	替代料
WMJ28N60C4	维安	TO-247-3	WMJ28N60C4	¥2.06	2.2万+	现货 1-3 天	替代料
IRLZ44NPBF	Vishay	TO-220	N沟道逻辑电平功率MOSFET，55V耐压，47A电流，低栅极阈值电压，5V逻辑电平驱动。	¥2.15	6200+	现货 1-3 天	替代料
CRSZ025N10N	华润微 CR Micro	TOLL	SkyMOS 1N 型 MOSFET	¥2.20	5.9万+	现货 1-3 天	替代料
WML28N50C4	维安	TO-220F	WML28N50C4	¥2.27	仅剩 50	现货 1-3 天	替代料
JSM75NF75	杰盛微	TO-220	杰盛微场效应MOS JSM75NF75，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)80、连续漏极电流ID(A)70、栅源电压VGS(±V)±25，国产替代优选，现货供应	¥2.32	3.4万+	现货 1-3 天	替代料
FDP7030BL	杰盛微	TO-220	杰盛微场效应MOS FDP7030BL，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)30、连续漏极电流ID(A)110、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应	¥2.40	2.4万+	现货 1-3 天	替代料
JSM4606	杰盛微	SOP8	杰盛微场效应MOS JSM4606，SOP8封装，漏源耐压VDS(V)30、连续漏极电流ID(A)-6.0、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应	¥2.48	1.6万+	现货 1-3 天	替代料

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