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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 交期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XP151A13AOMR | 杰盛微 | SOT-23 | 杰盛微场效应MOS XP151A13AOMR，SOT-23封装，漏源耐压VDS(V)20、连续漏极电流ID(A)0.5、栅源电压VGS(±V)±12，国产替代优选，现货供应 | ¥0.7173 | 3.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| UTC 4N60新 | 友顺科技 UTC | TO-251 | 4A/600V N沟道MOSFET，开关电源与反激变换器功率管 | ¥0.7293 | 1.8万+ | 现货 1-3 天 | |
| SVD640T | 士兰微 | - | SVD640T | ¥0.7499 | 仅剩 50 | 现货 1-3 天 | |
| WML11N65SR | 维安 | TO-220F | WML11N65SR | ¥0.7825 | 1000+ | 现货 1-3 天 | |
| WML10N65C4 | 维安 | TO-220F | 耐压:650V 电流:8A | ¥0.8268 | 2.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF13N50F | 士兰微 | - | SVF13N50F | ¥0.8654 | 115+ | 现货 1-3 天 | |
| ITD08N65R | 华润微 CR Micro | TO-252 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:8A | ¥0.8711 | 无货 | 订货 7-15 天 | |
| SVF7N65CD | 士兰微 | - | SVF7N65CD | ¥0.9057 | 100+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO10N70C4 | 维安 | TO-252 | 700V超结功率MOSFET | ¥0.9876 | 1550+ | 现货 1-3 天 | |
| ITA10N65R | 华润微 CR Micro | TO-220F | 1个N沟道 耐压:650V 电流:10A | ¥1.01 | 无货 | 订货 7-15 天 | |
| HRFZ44N新 | 华大半导体 HDSC | TO-220 | Fairchild UltraFET N 沟道功率 MOSFET，55V/49A，TO-220AB 封装，导通电阻 22mΩ。 | ¥1.01 | 2.8万+ | 现货 1-3 天 | |
| WML13N65EM | 维安 | TO-220F | 650V,电流:11A,耐压:700V | ¥1.04 | 14.9万+ | 现货 1-3 天 | |
| WMB060N10LGS | 维安 | PDFN5060-8L | 100V N沟道增强型功率MOSFET | ¥1.08 | 1630+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF20N50F | 士兰微 | - | SVF20N50F | ¥1.16 | 967+ | 现货 1-3 天 | |
| WMK26N65C4 | 维安 | TO-220 | WMK26N65C4 | ¥1.21 | 13.2万+ | 现货 1-3 天 | |
| CR12N65FA9K | 华润微 CR Micro | TO-220F | 1个N沟道 耐压:650V 电流:12A | ¥1.24 | 无货 | 订货 7-15 天 | |
| JSM200N06C | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM200N06C，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)60、连续漏极电流ID(A)116、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应 | ¥1.28 | 4.3万+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF7530TR热 | 杰盛微 | SOP8 | 杰盛微场效应MOS IRF7530TR，SOP8封装，漏源耐压VDS(V)100、连续漏极电流ID(A)-1.8、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应 | ¥1.28 | 2.8万+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO80R720S | 维安 | TO-252 | 800V、0.68Ω超结功率MOSFET | ¥1.29 | 2375+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO15N70C2 | 维安 | TO-252 | 700V 12A | ¥1.30 | 1181+ | 现货 1-3 天 |