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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 交期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE024N10LC新 | NCE新洁能 | TO-252 | N沟道逻辑MOSFET 100V 24A 25mΩ TO-252 | ¥1.10 | 5000+ | 现货 1-3 天 | |
| STW55NM60ND | ST意法半导体 | TO-247 | - | ¥1.12 | 6435+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF10N65CF | 士兰微 | - | SVF10N65CF | ¥1.17 | 仅剩 19 | 现货 1-3 天 | |
| STD5N52U3 | ST意法半导体 | DPAK | - | ¥1.21 | 5349+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF10N80F | 士兰微 | - | SVF10N80F | ¥1.22 | 341+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N65C新 | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM2N65C，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)650、连续漏极电流ID(A)1.3、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥1.23 | 1.4万+ | 现货 1-3 天 | |
| TPN11006NL,LQ | Toshiba | - | TPN11006NL,LQ | ¥1.27 | 315+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N60C | 杰盛微 | TO-220 | 杰盛微场效应MOS JSM2N60C，TO-220封装，漏源耐压VDS(V)600、连续漏极电流ID(A)1.3、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥1.33 | 3.4万+ | 现货 1-3 天 | |
| SSM3J133TU,LF | Toshiba | - | SSM3J133TU,LF | ¥1.37 | 仅剩 9 | 现货 1-3 天 | |
| IRFP4710 | ST意法半导体 | TO-247 | - | ¥1.41 | 5471+ | 现货 1-3 天 | |
| SVF18N50F | 士兰微 | - | SVF18N50F | ¥1.44 | 仅剩 51 | 现货 1-3 天 | |
| IRFR5505热 | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS IRFR5505，TO-252封装，漏源耐压VDS(V)60、连续漏极电流ID(A)-20、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应 | ¥1.58 | 2.2万+ | 现货 1-3 天 | |
| STP55NF06 | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥1.81 | 1390+ | 现货 1-3 天 | |
| STP60NF06 | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥1.81 | 2959+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM1N65D | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM1N65D，TO-252封装，漏源耐压VDS(V)650、连续漏极电流ID(A)0.63、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥1.85 | 7807+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF740 | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥1.85 | 2566+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF840 | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥1.85 | 3130+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF640N | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥1.92 | 2890+ | 现货 1-3 天 | |
| NCE55P10K新 | NCE新洁能 | TO-252 | P沟道MOSFET，-100V/-10A，电源防反接与高端开关 | ¥2.02 | 7500+ | 现货 1-3 天 | |
| IRF9540N | ST意法半导体 | TO-220 | - | ¥2.17 | 4611+ | 现货 1-3 天 |