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STGWA40M120DF3

品牌: ST意法半导体| 产地: 意大利/法国
商品编号: K0080466

STGWA40M120DF3

封装
TO-247
引脚数
-
整包装数量
30 个 · 管装/托盘
批次
现货批次(以实际发货为准)
可购买数量
160+
交期
现货 1-3 天
✓ 含税价(含 13% 增值税,开票不加价)📦 整包装 30 · 管装/托盘
阶梯价格(采购越多越优惠)
含税价
1-9
¥17.15
10-29
¥14.54
30-89
¥13.00
90-359
¥11.46
360-1079
¥10.72
1080+
¥10.39
整包装:30 · 管装/托盘,按整盘下单单价最优
当前单价:¥17.15× 1 = ¥17.15
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数量:
起订 1 | 递增 1 | 库存 160
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规格参数

产品描述STGWA40M120DF3
品牌ST意法半导体
品牌(原厂)STMicroelectronics
分类IGBT Transistors / Modules
整包装30 个
立创编码C472633
封装TO-247
关断延迟时间(Td(off))140ns
耗散功率(Pd)468W
开启延迟时间(Td(on))35ns
集电极电流(Ic)80A
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
反向传输电容(Cres)95pF
IGBT类型FS(场截止)
栅极阈值电压(Vge(th))5V@2mA
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
集射极饱和电压(VCE(sat))2.3V@40A,15V
反向恢复时间(Trr)355ns
关断损耗(Eoff)2.25mJ
导通损耗(Eon)1.5mJ
输入电容(Cies)2.5nF
输出电容(Coes)275pF
栅极电荷量(Qg)125nC

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