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STGWA60H65DFB

品牌: ST意法半导体| 产地: 意大利/法国
商品编号: K0080444

STGWA60H65DFB

封装
TO-247
引脚数
-
整包装数量
30 个 · 管装/托盘
批次
现货批次(以实际发货为准)
可购买数量
220+
交期
现货 1-3 天
✓ 含税价(含 13% 增值税,开票不加价)📦 整包装 30 · 管装/托盘
阶梯价格(采购越多越优惠)
含税价
1-9
¥17.63
10-29
¥16.73
30-99
¥16.20
100-499
¥15.62
500-999
¥15.35
1000+
¥15.24
整包装:30 · 管装/托盘,按整盘下单单价最优
当前单价:¥17.63× 1 = ¥17.63
再买 9 个(共 10 个),单价降至 ¥16.73
数量:
起订 1 | 递增 1 | 库存 220
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规格参数

产品描述STGWA60H65DFB
品牌ST意法半导体
品牌(原厂)STMicroelectronics
分类IGBT Transistors / Modules
整包装30 个
立创编码C472600
封装TO-247
关断延迟时间(Td(off))210ns
耗散功率(Pd)375W
开启延迟时间(Td(on))66ns
集电极电流(Ic)80A
集射极击穿电压(Vces)650V
反向传输电容(Cres)158pF
IGBT类型FS(场截止)
栅极阈值电压(Vge(th))6V@1mA
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
集射极饱和电压(VCE(sat))1.6V@60A,15V
反向恢复时间(Trr)60ns
关断损耗(Eoff)900uJ
导通损耗(Eon)1.59mJ
输入电容(Cies)7.792nF@25V
输出电容(Coes)262pF
栅极电荷量(Qg)306nC@60A,0~15V

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