STGB20M65DF2
品牌: ST意法半导体| 产地: 意大利/法国
商品编号: K0080426
STGB20M65DF2
封装
D2PAK
引脚数
-
整包装数量
1000 个 · 卷带装
批次
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规格参数
| 产品描述 | STGB20M65DF2 |
| 品牌 | ST意法半导体 |
| 品牌(原厂) | STMicroelectronics |
| 分类 | IGBT Transistors / Modules |
| 整包装 | 1000 个 |
| 立创编码 | C472552 |
| 封装 | D2PAK |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 108ns |
| 耗散功率(Pd) | 166W |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns |
| 集电极电流(Ic) | 40A |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@0.5mA |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@20A,15V |
| 反向恢复时间(Trr) | 166ns |
| 关断损耗(Eoff) | 560uJ |
| 导通损耗(Eon) | 140uJ |
| 输入电容(Cies) | 1.688nF@25V |
| 输出电容(Coes) | 95pF |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@15V |
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