HN58X25256FPIAG#S0 与 P25Q16H-SH-UI 对比分析
瑞萨电子 / 普冉半导体 · SOP-8 · 存储器，Flash
可考虑替代（需验证）
综合判断：引脚与封装兼容，可直接替换；注意上述参数差异是否影响应用，替换前请核对双方规格书并小批量验证。
直接替代风险提示：Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容，不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异；本对比基于公开规格书数据自动生成，仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值；② 建议先小批量上电验证（功能、温升、极限工况）；③ 验证通过后再批量替换。
1、引脚布局对比
两产品暂无结构化引脚定义数据，请下载数据手册核对引脚。
2、产品信息对比
| 对比项目 | HN58X25256FPIAG#S0 | P25Q16H-SH-UI |
|---|---|---|
| 生产厂商 | 瑞萨电子 | 普冉半导体 |
| 产品类型 | 存储器，Flash | 存储器，Flash |
| 封装形式 | SOP-8 | SOP-8 |
| 引脚数 | — | 8 引脚 |
| 通信接口 | — | SPI四线 |
| 工作温度 | — | — |
| 工作电压 | — | 1.65~3.6V |
| 典型功耗 | — | — |
| 频率精度 | — | — |
| 可购买数量 | 无货 | 42.0万+ |
| 整包装数量 | 2500 个 · 圆盘 | 可拆零 |
| 批次 | 订货批次（下单确认） | 现货批次（以实际发货为准） |
| 交期 | 订货 7-15 天 | 现货 1-3 天 |
| 数据手册 | — | — |
3、关键参数对比
| 参数 | HN58X25256FPIAG#S0 | P25Q16H-SH-UI | 比对结论 |
|---|---|---|---|
| 封装 | SOP-8 | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| 整包装 | 2500 个 | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Data Retention - TDR (Year) | 100 Years | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Clock Frequency | 3MHz、5MHz | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Write Cycle Endurance | 1,000,000 cycles | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Standby Current | 1uA | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Memory Size | 256Kbit | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Voltage - Supply | 1.8V~5.5V | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Features | Hardware write protection function、Software write protection function、Built-in power-on reset (POR)、Built-in write enable latch (WEL) | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Write Cycle Time(Tw) | 5ms、8ms | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Operating Current | 1.5mA | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| Interface | SPI | — | HN58X25256FPIAG#S0 独有 |
| 容量 | — | 16Mbit | P25Q16H-SH-UI 独有 |
| 接口 | — | SPI四线 | P25Q16H-SH-UI 独有 |
| 电压 | — | 1.65~3.6V | P25Q16H-SH-UI 独有 |
| 批次 | — | 202626+ | P25Q16H-SH-UI 独有 |
| 包装规格 | — | 盘装4000pcs/盘 | P25Q16H-SH-UI 独有 |
4、替代总概括
总结：两产品均为SOP-8封装的存储器，Flash；其中一方暂无完整引脚定义数据，建议以数据手册核对；封装一致，PCB 无需改版。
综合判断：引脚与封装兼容，可直接替换；注意上述参数差异是否影响应用，替换前请核对双方规格书并小批量验证。