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NP160N055TUK-E1-AYBSS138 对比分析

瑞萨电子 / 江苏长晶 JSCJ · TO-263-6 · 晶体管 - FET,MOSFET - 单
功能型替代,需验证
综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目NP160N055TUK-E1-AYBSS138
生产厂商瑞萨电子江苏长晶 JSCJ
产品类型晶体管 - FET,MOSFET - 单晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装形式TO-263-6SOT-23
引脚数
通信接口
工作温度
工作电压
典型功耗
频率精度
可购买数量无货41.4万+
整包装数量800 个 · 圆盘3000 个 · 圆盘
批次订货批次(下单确认)现货批次(以实际发货为准)
交期订货 7-15 天现货 1-3 天
数据手册

3、关键参数对比

参数NP160N055TUK-E1-AYBSS138比对结论
封装TO-263-6SOT-23 BSS138 数值更高
整包装800 个3000 个 BSS138 数值更高
Operating Temperature-55℃~+175℃NP160N055TUK-E1-AY 独有
Input Capacitance(Ciss)11.25nFNP160N055TUK-E1-AY 独有
TypeN-ChannelNP160N055TUK-E1-AY 独有
Number1 N-channelNP160N055TUK-E1-AY 独有
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4VNP160N055TUK-E1-AY 独有
Gate Charge(Qg)189nC@10VNP160N055TUK-E1-AY 独有
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)490pFNP160N055TUK-E1-AY 独有
Current - Continuous Drain(Id)160ANP160N055TUK-E1-AY 独有
Drain to Source Voltage55VNP160N055TUK-E1-AY 独有
Output Capacitance(Coss)1.16nFNP160N055TUK-E1-AY 独有
Pd - Power Dissipation250WNP160N055TUK-E1-AY 独有
RDS(on)2.1mΩ@10VNP160N055TUK-E1-AY 独有

参数小结:依据双方规格书数据,两型号共有可比参数 2 项,其中一致 0 项(一致率 0%)、存在差异 2,差异项为 封装(TO-263-6 vs SOT-23)、整包装(800 个 vs 3000 个)上述差异项请对照双方数据手册确认是否落在应用裕量范围内;涉及耐压、电流、温度等极限参数的差异需重点评估,避免长期降额不足导致可靠性问题。

4、替代总概括

总结:两产品均为TO-263-6封装的晶体管 - FET,MOSFET - 单;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装不同(TO-263-6 vs SOT-23),需重新设计 PCB;关键参数一致率 0%,需注意 封装(TO-263-6 vs SOT-23)、整包装(800 个 vs 3000 个)

综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。