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STD2NK90ZT4 与 DMG1012T-7 对比分析

ST意法半导体 / Diodes Incorporated · TO-252(DPAK) · 晶体管 - FET,MOSFET - 单
功能型替代,需验证
综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目STD2NK90ZT4DMG1012T-7
生产厂商ST意法半导体Diodes Incorporated
产品类型N沟道N沟道
封装形式TO-252(DPAK)SOT-23-3
引脚数—3 引脚
通信接口——
工作温度-55℃~+150℃—
工作电压——
典型功耗——
频率精度——
可购买数量5022+40.0万+
整包装数量2500 个 · 卷带装可拆零
批次现货批次(以实际发货为准)现货批次(以实际发货为准)
交期现货 1-3 天现货 1-3 天
数据手册有有

3、关键参数对比

参数STD2NK90ZT4DMG1012T-7比对结论
整包装2500 个—STD2NK90ZT4 独有
封装TO-252(DPAK)SOT-523 DMG1012T-7 数值更低
输出电容(Coss)50pF—STD2NK90ZT4 独有
输入电容(Ciss)485pF—STD2NK90ZT4 独有
耗散功率(Pd)70W—STD2NK90ZT4 独有
工作温度-55℃~+150℃—STD2NK90ZT4 独有
漏源电压(Vdss)900V—STD2NK90ZT4 独有
连续漏极电流(Id)2.1A—STD2NK90ZT4 独有
反向传输电容(Crss)10pF—STD2NK90ZT4 独有
导通电阻5Ω@10V—STD2NK90ZT4 独有
数量1个N沟道—STD2NK90ZT4 独有
栅极电荷量(Qg)19.5nC—STD2NK90ZT4 独有
栅极电压(Vgs)±30V—STD2NK90ZT4 独有
阈值电压(Vgs(th))4.5V—STD2NK90ZT4 独有
类型N沟道N沟道 一致
漏源电压VDS—20VDMG1012T-7 独有
连续电流ID—630mA(Ta=25℃)DMG1012T-7 独有
导通电阻RDS(on)—300mΩ@4.5V;400mΩ@2.5V;500mΩ@1.8VDMG1012T-7 独有
阈值电压VGS(th)—1V@250µA(max)DMG1012T-7 独有
总栅荷Qg—0.74nC@4.5V(736.6pC)DMG1012T-7 独有
功耗PD—280mWDMG1012T-7 独有

参数小结:依据双方规格书数据,两型号共有可比参数 2 项,其中一致 1 项(一致率 50%)、存在差异 1 项,差异项为 封装(TO-252(DPAK) vs SOT-523)。上述差异项请对照双方数据手册确认是否落在应用裕量范围内;涉及耐压、电流、温度等极限参数的差异需重点评估,避免长期降额不足导致可靠性问题。

4、替代总概括

总结:两产品均为TO-252(DPAK)封装的晶体管 - FET,MOSFET - 单;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装不同(TO-252(DPAK) vs SOT-23-3),需重新设计 PCB;关键参数一致率 50%,需注意 封装(TO-252(DPAK) vs SOT-523)。

综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。