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STTH4R02UES2DB 对比分析

ST意法半导体 / SOCAY硕凯 · SMB · 快恢复二极管
功能型替代,需验证
综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目STTH4R02UES2DB
生产厂商ST意法半导体SOCAY硕凯
产品类型快恢复二极管快恢复二极管
封装形式SMBDO-214AA / SMB
引脚数
通信接口
工作温度
工作电压
典型功耗
频率精度
可购买数量7281+无货
整包装数量2500 个 · 圆盘可拆零
批次现货批次(以实际发货为准)订货批次(下单确认)
交期现货 1-3 天订货 7-15 天
数据手册

3、关键参数对比

参数STTH4R02UES2DB比对结论
封装SMBSTTH4R02U 独有
整包装2500 个STTH4R02U 独有
反向重复峰值电压VRRM200VES2DB 独有
反向电压有效值VRMS140VES2DB 独有
直流反向电压VDC200VES2DB 独有
正向电流IF(AV)2VES2DB 独有
浪涌电流IFSM50AES2DB 独有
正向压降VF0.95VES2DB 独有
反向漏电流(25℃)10μAES2DB 独有
反向漏电流(100℃)200μAES2DB 独有
反向恢复时间trr35nsES2DB 独有
对应国际品牌型号Vishay / onsemi / Diodes 同名同规格型号ES2DB 独有

4、替代总概括

总结:两产品均为SMB封装的快恢复二极管;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装不同(SMB vs DO-214AA / SMB),需重新设计 PCB

综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。