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AT25EU0021A-SSHN-T 与 W25Q64JVSSIQ 对比分析

瑞萨电子 / 华邦电子 · SOIC-8 · 存储器,Flash
推荐替代(需验证后批量替换)
综合判断:引脚与关键参数均兼容,具备直接替代条件;但跨品牌替换仍存在批次工艺与极限参数差异风险,请按下方提示完成规格书核对与小批量上电验证后再放量。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目AT25EU0021A-SSHN-TW25Q64JVSSIQ
生产厂商瑞萨电子华邦电子
产品类型存储器,Flash存储器,Flash
封装形式SOIC-8SOIC-8
引脚数—8 引脚
通信接口—标准 SPI / Dual SPI / Quad SPI,兼容 QPI,支持 SFDP 与 XIP
工作温度—-40℃~+85℃
工作电压—2.7V~3.6V
典型功耗——
频率精度——
可购买数量无货1.2万+
整包装数量4000 个 · 圆盘可拆零
批次订货批次(下单确认)现货批次(以实际发货为准)
交期订货 7-15 天现货 1-3 天
数据手册有有

3、关键参数对比

参数AT25EU0021A-SSHN-TW25Q64JVSSIQ比对结论
封装SOIC-8SOP-8(SOIC-8 208mil 宽体,1.27mm 间距) 一致
整包装4000 个—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
Clock Frequency85MHz—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
Memory Size2Mbit—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
Page Programming Time (Tpp)8ms—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
Voltage - Supply1.65V~3.6V—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
InterfaceSPI—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
Standby Supply Current0.1uA—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
定价锚MULTI-SRC-MIN—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
比价来源LCSC—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
立创人民币价1.34—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
findchips最低(人民币)—— 一致
findchips分销商—— 一致
比价时间2026-09-24 16:33—AT25EU0021A-SSHN-T 独有
存储容量—64Mbit(8MB,32768 页×256 字节)W25Q64JVSSIQ 独有
接口—标准 SPI / Dual SPI / Quad SPI,兼容 QPI,支持 SFDP 与 XIPW25Q64JVSSIQ 独有
最高时钟—133MHz(Quad I/O 等效 532MHz,连续读约 66MB/s)W25Q64JVSSIQ 独有
工作电压—2.7V~3.6VW25Q64JVSSIQ 独有
擦写次数—10 万次(100,000 Program/Erase Cycles,最小值)W25Q64JVSSIQ 独有
保存年限—20 年W25Q64JVSSIQ 独有
工作温度—-40℃~+85℃W25Q64JVSSIQ 独有

参数小结:依据双方规格书数据,两型号共有可比参数 3 项,其中一致 3 项(一致率 100%)、存在差异 0 项。关键参数全部一致,可判定为参数级兼容;仍需按风险提示完成上电验证后方可批量替换。

4、替代总概括

总结:两产品均为SOIC-8封装的存储器,Flash;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装一致,PCB 无需改版;关键参数 3 项全部一致。

综合判断:引脚与关键参数均兼容,具备直接替代条件;但跨品牌替换仍存在批次工艺与极限参数差异风险,请按下方提示完成规格书核对与小批量上电验证后再放量。