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UPA1873GR-9JG-E1-A 与 TM8205S 对比分析

瑞萨电子 / 台懋 · TSSOP-8 · 晶体管 - FET,MOSFET - 单
功能型替代,需验证
综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目UPA1873GR-9JG-E1-ATM8205S
生产厂商瑞萨电子台懋
产品类型晶体管 - FET,MOSFET - 单双N-MOS
封装形式TSSOP-8SOP-8
引脚数—8 引脚
通信接口——
工作温度——
工作电压——
典型功耗——
频率精度——
可购买数量无货4.5万+
整包装数量3000 个 · 圆盘可拆零
批次订货批次(下单确认)现货批次(以实际发货为准)
交期订货 7-15 天现货 1-3 天
数据手册有—

3、关键参数对比

参数UPA1873GR-9JG-E1-ATM8205S比对结论
封装TSSOP-8—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
整包装3000 个—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Operating Temperature-55℃~+150℃—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
TypeN-Channel—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Input Capacitance(Ciss)705pF—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Number2 N-Channel—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Gate Charge(Qg)9nC@4V—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)145pF—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Current - Continuous Drain(Id)6A—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Drain to Source Voltage20V—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
Pd - Power Dissipation2W—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
RDS(on)29mΩ@2.5V—UPA1873GR-9JG-E1-A 独有
类型—双N-MOSTM8205S 独有
耐压—20VTM8205S 独有
电流—5ATM8205S 独有
应用—锂电池保护TM8205S 独有
批次—202626+TM8205S 独有
包装规格—盘装4000pcs/盘TM8205S 独有

4、替代总概括

总结:两产品均为TSSOP-8封装的晶体管 - FET,MOSFET - 单;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装不同(TSSOP-8 vs SOP-8),需重新设计 PCB。

综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。