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RJK5002DPD-00#J2 与 NCE024N10LC 对比分析

瑞萨电子 / NCE新洁能 · TO-252-3 · 晶体管 - FET,MOSFET - 单
功能型替代,需验证
综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目RJK5002DPD-00#J2NCE024N10LC
生产厂商瑞萨电子NCE新洁能
产品类型晶体管 - FET,MOSFET - 单N沟道逻辑MOSFET
封装形式TO-252-3TO-252
引脚数——
通信接口——
工作温度——
工作电压——
典型功耗——
频率精度——
可购买数量无货5000+
整包装数量3000 个 · 圆盘可拆零
批次订货批次(下单确认)现货批次(以实际发货为准)
交期订货 7-15 天现货 1-3 天
数据手册有有

3、关键参数对比

参数RJK5002DPD-00#J2NCE024N10LC比对结论
封装TO-252-3TO-252 NCE024N10LC 数值更低
整包装3000 个—RJK5002DPD-00#J2 独有
Operating Temperature-55℃~+150℃—RJK5002DPD-00#J2 独有
Input Capacitance(Ciss)165pF@25V—RJK5002DPD-00#J2 独有
Number1 N-channel—RJK5002DPD-00#J2 独有
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V—RJK5002DPD-00#J2 独有
Gate Charge(Qg)6.7nC@10V—RJK5002DPD-00#J2 独有
Current - Continuous Drain(Id)2.4A—RJK5002DPD-00#J2 独有
Drain to Source Voltage500V—RJK5002DPD-00#J2 独有
Pd - Power Dissipation30W—RJK5002DPD-00#J2 独有
RDS(on)3.83Ω@10V—RJK5002DPD-00#J2 独有
类型—N沟道逻辑MOSFETNCE024N10LC 独有
Vds—100VNCE024N10LC 独有
Id—24ANCE024N10LC 独有
Rds(on)—25mΩNCE024N10LC 独有
Vgs(th)—1-2.5VNCE024N10LC 独有

参数小结:依据双方规格书数据,两型号共有可比参数 1 项,其中一致 0 项(一致率 0%)、存在差异 1 项,差异项为 封装(TO-252-3 vs TO-252)。上述差异项请对照双方数据手册确认是否落在应用裕量范围内;涉及耐压、电流、温度等极限参数的差异需重点评估,避免长期降额不足导致可靠性问题。

4、替代总概括

总结:两产品均为TO-252-3封装的晶体管 - FET,MOSFET - 单;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装不同(TO-252-3 vs TO-252),需重新设计 PCB;关键参数一致率 0%,需注意 封装(TO-252-3 vs TO-252)。

综合判断:属功能型替代,替换前需核对引脚与参数差异,必要时调整外围电路并完成验证。