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STP2NK90ZHRFZ44N 对比分析

ST意法半导体 / 华大半导体 · TO-220 · 晶体管 - FET,MOSFET - 单
推荐替代(需验证后批量替换)
综合判断:引脚与关键参数均兼容,具备直接替代条件;但跨品牌替换仍存在批次工艺与极限参数差异风险,请按下方提示完成规格书核对与小批量上电验证后再放量。
直接替代风险提示:Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容,不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异;本对比基于公开规格书数据自动生成,仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值;② 建议先小批量上电验证(功能、温升、极限工况);③ 验证通过后再批量替换。

1、引脚布局对比

两产品暂无结构化引脚定义数据,请下载数据手册核对引脚。

2、产品信息对比

对比项目STP2NK90ZHRFZ44N
生产厂商ST意法半导体华大半导体
产品类型晶体管 - FET,MOSFET - 单N沟道
封装形式TO-220TO-220
引脚数3 引脚
通信接口
工作温度
工作电压
典型功耗
频率精度
可购买数量仅剩 62.8万+
整包装数量50 个 · 管可拆零
批次现货批次(以实际发货为准)现货批次(以实际发货为准)
交期现货 1-3 天现货 1-3 天
数据手册

3、关键参数对比

参数STP2NK90ZHRFZ44N比对结论
封装TO-220TO-220AB 一致
整包装50 个STP2NK90Z 独有
类型N沟道HRFZ44N 独有
漏源电压VDS55VHRFZ44N 独有
连续电流ID49A(Tc=25℃)HRFZ44N 独有
导通电阻RDS(on)22mΩ max@10V(ID=25A)HRFZ44N 独有
阈值电压VGS(th)max 4V@250µAHRFZ44N 独有
总栅荷Qg75nC(max)HRFZ44N 独有
功耗PD120W(Tc=25℃)HRFZ44N 独有

参数小结:依据双方规格书数据,两型号共有可比参数 1 项,其中一致 1 项(一致率 100%)、存在差异 0关键参数全部一致,可判定为参数级兼容;仍需按风险提示完成上电验证后方可批量替换。

4、替代总概括

总结:两产品均为TO-220封装的晶体管 - FET,MOSFET - 单;其中一方暂无完整引脚定义数据,建议以数据手册核对;封装一致,PCB 无需改版;关键参数 1 项全部一致

综合判断:引脚与关键参数均兼容,具备直接替代条件;但跨品牌替换仍存在批次工艺与极限参数差异风险,请按下方提示完成规格书核对与小批量上电验证后再放量。