FDP5N50NZ 与 HRFZ44N 对比分析
onsemi / 华大半导体 · TO-220-3 · 晶体管 - FET，MOSFET - 单
功能型替代，需验证
综合判断：属功能型替代，替换前需核对引脚与参数差异，必要时调整外围电路并完成验证。
直接替代风险提示：Pin-to-Pin / 同封装仅代表引脚布局与封装兼容，不代表电气参数、性能与可靠性完全一致。 不同原厂在工艺、极限参数、ESD 等级、批次质量上可能存在差异；本对比基于公开规格书数据自动生成，仅供参考。 ① 请下载双方数据手册核对关键参数与极限值；② 建议先小批量上电验证（功能、温升、极限工况）；③ 验证通过后再批量替换。
1、引脚布局对比
两产品暂无结构化引脚定义数据，请下载数据手册核对引脚。
2、产品信息对比
| 对比项目 | FDP5N50NZ | HRFZ44N |
|---|---|---|
| 生产厂商 | onsemi | 华大半导体 |
| 产品类型 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道 |
| 封装形式 | TO-220-3 | TO-220 |
| 引脚数 | — | 3 引脚 |
| 通信接口 | — | — |
| 工作温度 | — | — |
| 工作电压 | — | — |
| 典型功耗 | — | — |
| 频率精度 | — | — |
| 可购买数量 | 无货 | 2.8万+ |
| 整包装数量 | 1000 个 · 管 | 可拆零 |
| 批次 | 订货批次（下单确认） | 现货批次（以实际发货为准） |
| 交期 | 订货 7-15 天 | 现货 1-3 天 |
| 数据手册 | 有 | 有 |
3、关键参数对比
| 参数 | FDP5N50NZ | HRFZ44N | 比对结论 |
|---|---|---|---|
| 定价锚 | LCSC-RMB | — | FDP5N50NZ 独有 |
| 封装 | TO-220-3 | TO-220AB | HRFZ44N 数值更低 |
| 整包装 | 1000 个 | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Type | N-Channel | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Input Capacitance(Ciss) | 440pF | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Drain to Source Voltage | 500V | — | FDP5N50NZ 独有 |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | — | FDP5N50NZ 独有 |
| RDS(on) | 1.5Ω@10V | — | FDP5N50NZ 独有 |
| 类型 | — | N沟道 | HRFZ44N 独有 |
| 漏源电压VDS | — | 55V | HRFZ44N 独有 |
| 连续电流ID | — | 49A（Tc=25℃） | HRFZ44N 独有 |
| 导通电阻RDS(on) | — | 22mΩ max@10V（ID=25A） | HRFZ44N 独有 |
| 阈值电压VGS(th) | — | max 4V@250µA | HRFZ44N 独有 |
| 总栅荷Qg | — | 75nC（max） | HRFZ44N 独有 |
| 功耗PD | — | 120W（Tc=25℃） | HRFZ44N 独有 |
参数小结：依据双方规格书数据，两型号共有可比参数 1 项，其中一致 0 项（一致率 0%）、存在差异 1 项，差异项为 封装（TO-220-3 vs TO-220AB）。上述差异项请对照双方数据手册确认是否落在应用裕量范围内；涉及耐压、电流、温度等极限参数的差异需重点评估，避免长期降额不足导致可靠性问题。
4、替代总概括
总结：两产品均为TO-220-3封装的晶体管 - FET，MOSFET - 单；其中一方暂无完整引脚定义数据，建议以数据手册核对；封装不同（TO-220-3 vs TO-220），需重新设计 PCB；关键参数一致率 0%，需注意 封装（TO-220-3 vs TO-220AB）。
综合判断：属功能型替代，替换前需核对引脚与参数差异，必要时调整外围电路并完成验证。