元器件参数对比
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ID: 89454
| 参数项 | STD12N60DM2AG ST意法半导体 |
|---|---|
| 品牌 | ST意法半导体 |
| 封装 | TO-252 |
| 引脚数 | - |
| 库存 | 仅剩 67 |
| 起步价 | ¥7.18 |
| 最小起订 | 1 个 |
| 规格参数 | |
| 产品描述 | STD12N60DM2AG |
| 品牌 | ST意法半导体 |
| 品牌(原厂) | STMicroelectronics |
| 分类 | MOSFETs |
| 整包装 | 2500 个 |
| 立创编码 | C495234 |
| 封装 | TO-252 |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
| 输入电容(Ciss) | 614pF |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF |
| 导通电阻 | 430mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 类型 | N沟道 |
| 文档与操作 | |
| 数据手册 | 📄 查看/下载 |
| 操作 | |