元器件参数对比
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ID: 89333
| 参数项 | STGW80H65DFB ST意法半导体 |
|---|---|
| 品牌 | ST意法半导体 |
| 封装 | TO-247 |
| 引脚数 | - |
| 库存 | 494+ |
| 起步价 | ¥14.75 |
| 最小起订 | 1 个 |
| 规格参数 | |
| 产品描述 | STGW80H65DFB |
| 品牌 | ST意法半导体 |
| 品牌(原厂) | STMicroelectronics |
| 分类 | IGBT Transistors / Modules |
| 整包装 | 30 个 |
| 立创编码 | C457471 |
| 封装 | TO-247 |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns |
| 耗散功率(Pd) | 469W |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 84ns |
| 集电极电流(Ic) | 120A |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 反向传输电容(Cres) | 215pF |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@80A,15V |
| 反向恢复时间(Trr) | 85ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ |
| 导通损耗(Eon) | 2.1mJ |
| 输入电容(Cies) | 10.524nF |
| 输出电容(Coes) | 385pF |
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC |
| 文档与操作 | |
| 数据手册 | 📄 查看/下载 |
| 操作 | |