元器件参数对比
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ID: 88608ID: 89333
| 参数项 | STGW39NC60VD ST意法半导体 | STGW80H65DFB ST意法半导体 |
|---|---|---|
| 品牌 | ST意法半导体 | ST意法半导体 |
| 封装 | TO-247 | TO-247 |
| 引脚数 | - | - |
| 库存 | 118+ | 494+ |
| 起步价 | ¥4.56 | ¥14.75 |
| 最小起订 | 1 个 | 1 个 |
| 规格参数 | ||
| 产品描述 | 600V 80A | STGW80H65DFB |
| 品牌 | ST意法半导体 | ST意法半导体 |
| 品牌(原厂) | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 封装 | TO-247 | TO-247 |
| 分类 | IGBT Transistors / Modules | IGBT Transistors / Modules |
| 整包装 | 30 个 | 30 个 |
| 立创编码 | C169774 | C457471 |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | 280ns |
| 耗散功率(Pd) | - | 469W |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | 84ns |
| 集电极电流(Ic) | - | 120A |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | 650V |
| 反向传输电容(Cres) | - | 215pF |
| IGBT类型 | - | FS(场截止) |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | 5V@1mA |
| 工作温度 | - | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 2V@80A,15V |
| 反向恢复时间(Trr) | - | 85ns |
| 关断损耗(Eoff) | - | 1.5mJ |
| 导通损耗(Eon) | - | 2.1mJ |
| 输入电容(Cies) | - | 10.524nF |
| 输出电容(Coes) | - | 385pF |
| 栅极电荷量(Qg) | - | 414nC |
| 文档与操作 | ||
| 数据手册 | 📄 查看/下载 | 📄 查看/下载 |
| 操作 | ||
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