元器件参数对比
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ID: 151463ID: 1634
| 参数项 | NP100N04PUK-E1-AY 瑞萨电子 | WPM40N12 维攀微WPMTEK |
|---|---|---|
| 品牌 | 瑞萨电子 | 维攀微WPMTEK |
| 封装 | TO-263 | TO-263 |
| 引脚数 | - | 3 |
| 库存 | 无货 | 5.5万+ |
| 起步价 | ¥0.6502 | ¥1.24 |
| 最小起订 | 5 个 | 1 个 |
| 规格参数 | ||
| 产品描述 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:100A | - |
| 品牌 | 瑞萨电子 | - |
| 品牌(原厂) | RENESAS | - |
| 封装 | TO-263 | - |
| 分类 | MOSFETs | - |
| 整包装 | 800 个 | - |
| 立创编码 | C3291064 | - |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃ | - |
| Type | N-Channel | - |
| Input Capacitance(Ciss) | 7.05nF | - |
| Number | 1 N-channel | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | - |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@10V | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 490pF | - |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | - |
| Drain to Source Voltage | 40V | - |
| Pd - Power Dissipation | 176W | - |
| RDS(on) | 2.3mΩ@10V | - |
| 类型 | - | N-MOSFET |
| Vds | - | 120V |
| Id | - | 40A |
| Rds(on) | - | 45mΩ |
| 文档与操作 | ||
| 数据手册 | 📄 查看/下载 | 无 |
| 操作 | ||
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