元器件参数对比
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ID: 150510ID: 86605
| 参数项 | 2SK3229-E 瑞萨电子 | 2N7002 江苏长晶 JSCJ |
|---|---|---|
| 品牌 | 瑞萨电子 | 江苏长晶 JSCJ |
| 封装 | - | SOT-23 |
| 引脚数 | - | - |
| 库存 | 无货 | 177.9万+ |
| 起步价 | ¥2.05 | ¥0.0368 |
| 最小起订 | 1 个 | 1 个 |
| 规格参数 | ||
| 产品描述 | N通道,电流:60A,耐压:80V | N沟道,电流:115mA,耐压:60V |
| 品牌 | 瑞萨电子 | 江苏长晶 JSCJ |
| 品牌(原厂) | RENESAS | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. |
| 封装 | - | SOT-23 |
| 分类 | MOSFETs | MOSFETs |
| 整包装 | 1 个 | 3000 个 |
| 立创编码 | C3276116 | C8545 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | - |
| Type | N-Channel | - |
| Input Capacitance(Ciss) | 9.7nF | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | - |
| Gate Charge(Qg) | 150nC@25V | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 290pF | - |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | - |
| Drain to Source Voltage | 80V | - |
| Output Capacitance(Coss) | 1.25nF | - |
| Pd - Power Dissipation | 35W | - |
| RDS(on) | 12mΩ@4V | - |
| 文档与操作 | ||
| 数据手册 | 📄 查看/下载 | 📄 查看/下载 |
| 操作 | ||
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