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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 交期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CJ3407 | 江苏长晶 JSCJ | SOT-23 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A | ¥0.1403 | 16.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| WM03P91A | 维安 | SOP-8L | WM03P91A | ¥0.1432 | 仅剩 50 | 现货 1-3 天 | |
| CJ3401 | 江苏长晶 JSCJ | SOT-23 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A | ¥0.1496 | 22.4万+ | 现货 1-3 天 | |
| DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | SOT-523 | 1个P沟道 耐压:20V 电流:0.46A | ¥0.1547 | 15.5万+ | 现货 1-3 天 | |
| JSMG60T60P | 杰盛微 | TO-247 | 杰盛微场效应MOS JSMG60T60P，TO-247封装，漏源耐压VDS(V)600、栅源电压VGS(±V)±30、阈值电压VGS(th)(V)4.5，国产替代优选，现货供应 | ¥0.1837 | 2.7万+ | 现货 1-3 天 | |
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | SOT-23 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:4A | ¥0.1881 | 仅剩 3 | 现货 1-3 天 | |
| WMQ050N03LG4 | 维安 | PDFN-8L(3x3) | 30V N沟道增强型功率MOSFET | ¥0.2019 | 仅剩 2 | 现货 1-3 天 | |
| WMO4N65D1B | 维安 | TO-252 | WMO4N65D1B | ¥0.2064 | 仅剩 50 | 现货 1-3 天 | |
| DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | SOT-23 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A | ¥0.2142 | 123+ | 现货 1-3 天 | |
| ITU01N60A | 华润微 CR Micro | TO-251 | N沟道 耐压:600V 电流:1A | ¥0.2142 | 无货 | 订货 7-15 天 | |
| JSM30N02D | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM30N02D，TO-252封装，漏源耐压VDS(V)30、连续漏极电流ID(A)150、栅源电压VGS(±V)±20，国产替代优选，现货供应 | ¥0.2308 | 1358+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO25N10T1 | 维安 | TO-252 | 100V N沟道增强型功率MOSFET | ¥0.2313 | 675+ | 现货 1-3 天 | |
| WM02N08FE | 维安 | DFN1006-3L | WM02N08FE | ¥0.2343 | 962+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO5N50D1B | 维安 | TO-252 | 500V 5A 1.35Ω N 沟道功率 MOSFET | ¥0.2367 | 1610+ | 现货 1-3 天 | |
| DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | SOT-23 | 1个P沟道 耐压:20V 电流:4A | ¥0.2409 | 1.3万+ | 现货 1-3 天 | |
| WMO7N65D1B | 维安 | TO-252 | WMO7N65D1B | ¥0.3026 | 仅剩 30 | 现货 1-3 天 | |
| WMD7N50RC | 维安 | TO-252 | N沟道 500V 7A | ¥0.3203 | 1180+ | 现货 1-3 天 | |
| WML7N65DQ | 维安 | TO-220F | WML7N65DQ | ¥0.3356 | 100+ | 现货 1-3 天 | |
| JSM2N90D | 杰盛微 | TO-252 | 杰盛微场效应MOS JSM2N90D，TO-252封装，漏源耐压VDS(V)900、连续漏极电流ID(A)1.08、栅源电压VGS(±V)±30，国产替代优选，现货供应 | ¥0.3736 | 4.2万+ | 现货 1-3 天 | |
| WMS09P06TS | 维安 | SOP-8L | WMS09P06TS | ¥0.3845 | 3995+ | 现货 1-3 天 |