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Pin-to-Pin 兼容
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功能兼容
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国产替代
AI 智能选型推荐
基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐
便携设备 5V 输入保护
SA8206 36V 输入耐压 + 6.0V 过压阈值 + 2.5A 过流 + 50ns OVP 响应 + 140mΩ 低导通，特别适合 USB Type-C 5V 输入保护、电池充电前端保护、车载/工业 12V 降压前的预保护。
智能推荐候选型号
（按兼容类型 + 场景适配度排序，前 8 个）SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230H 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异8%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230HL 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异8%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230HSMD 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异8%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-250H 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-250HL 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-300H 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异12%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-300HSMD 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异12%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-300HL 与 SC2E8-250HSMD Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异13%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异12%，需确认设计余量
核心参数对比
（基于产品规格参数表 + D 盘规格书）| 参数 | SC2E8-250HSMD 当前型号 | SC2E8-230H SOCAY硕凯 | SC2E8-230HL SOCAY硕凯 | SC2E8-230HSMD SOCAY硕凯 | SC2E8-250H SOCAY硕凯 | SC2E8-250HL SOCAY硕凯 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm |
| 直流击穿电压Vs@100V/S | 250V±20% | 230V±20% | 230V±20% | 230V±20% | 250V±20% | 250V±20% |
| 冲击击穿电压@100V/μS | 700V | 600V | 600V | 600V | 700V | 700V |
| 冲击击穿电压@1KV/μS | 800V | 700V | 700V | 700V | 800V | 800V |
| 绝缘电阻 | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) |
| 结电容Cj@1MHz | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF |
| 弧光电压@1A | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 放电电流@8/ | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA |
| 放电电流@8/2 | 25KA | 25KA | 25KA | 25KA | 25KA | 25KA |
| 放电电流@50Hz | 20A | 20A | 20A | 20A | 20A | 20A |
| 冲击寿命@10/ | 200A | 200A | 200A | 200A | 200A | 200A |
暂无 SC2E8-250HSMD 的国产替代映射
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