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Pin-to-Pin 兼容
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功能兼容
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国产替代
AI 智能选型推荐
基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐
便携设备 5V 输入保护
SA8206 36V 输入耐压 + 6.0V 过压阈值 + 2.5A 过流 + 50ns OVP 响应 + 140mΩ 低导通，特别适合 USB Type-C 5V 输入保护、电池充电前端保护、车载/工业 12V 降压前的预保护。
智能推荐候选型号
（按兼容类型 + 场景适配度排序，前 8 个）SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-150M 与 SC2E8-150ML Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-150MSMD 与 SC2E8-150ML Pin-to-Pin 完全兼容，11 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (11)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+5
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230M 与 SC2E8-150ML Pin-to-Pin 完全兼容，10 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (10)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/+4
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(42%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230ML 与 SC2E8-150ML Pin-to-Pin 完全兼容，10 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (10)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/+4
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(42%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-230MSMD 与 SC2E8-150ML Pin-to-Pin 完全兼容，10 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (10)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/+4
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(42%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异18%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异15%，需确认设计余量
推荐理由：SC2E8-75M 功能兼容 SC2E8-150ML，相似度 82%，9 项参数匹配。需注意 直流击穿电压Vs@100V/S：差异较大(67%)，需重点评估。
核心参数匹配 (9)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz放电电流@8/放电电流@8/2+3
参数差异 (2)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(67%)，需重点评估
- 弧光电压@1A: 差异较大(29%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-75ML 功能兼容 SC2E8-150ML，相似度 82%，9 项参数匹配。需注意 直流击穿电压Vs@100V/S：差异较大(67%)，需重点评估。
核心参数匹配 (9)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz放电电流@8/放电电流@8/2+3
参数差异 (2)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(67%)，需重点评估
- 弧光电压@1A: 差异较大(29%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · φ8*6mm
推荐理由：SC2E8-75MSMD 功能兼容 SC2E8-150ML，相似度 82%，9 项参数匹配。需注意 直流击穿电压Vs@100V/S：差异较大(67%)，需重点评估。
核心参数匹配 (9)
冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz放电电流@8/放电电流@8/2+3
参数差异 (2)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(67%)，需重点评估
- 弧光电压@1A: 差异较大(29%)，需重点评估
核心参数对比
（基于产品规格参数表 + D 盘规格书）| 参数 | SC2E8-150ML 当前型号 | SC2E8-150M SOCAY硕凯 | SC2E8-150MSMD SOCAY硕凯 | SC2E8-230M SOCAY硕凯 | SC2E8-230ML SOCAY硕凯 | SC2E8-230MSMD SOCAY硕凯 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm | φ8*6mm |
| 直流击穿电压Vs@100V/S | 150V±20% | 150V±20% | 150V±20% | 230V±20% | 230V±20% | 230V±20% |
| 冲击击穿电压@100V/μS | 500V | 500V | 500V | 600V | 600V | 600V |
| 冲击击穿电压@1KV/μS | 600V | 600V | 600V | 700V | 700V | 700V |
| 绝缘电阻 | 1 GΩ (at 50V DC) | 1 GΩ (at 50V DC) | 1 GΩ (at 50V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) |
| 结电容Cj@1MHz | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF | 1.5pF |
| 弧光电压@1A | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 放电电流@8/ | 10KA | 10KA | 10KA | 10KA | 10KA | 10KA |
| 放电电流@8/2 | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA | 20KA |
| 放电电流@50Hz | 10A | 10A | 10A | 10A | 10A | 10A |
| 冲击寿命@10/ | 100A | 100A | 100A | 100A | 100A | 100A |
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