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SC1812-600CSMD

SOCAY硕凯 | 1812 | 库存 无货
0
Pin-to-Pin 兼容
0
功能兼容
0
国产替代

AI 智能选型推荐

基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐

便携设备 5V 输入保护

SA8206 36V 输入耐压 + 6.0V 过压阈值 + 2.5A 过流 + 50ns OVP 响应 + 140mΩ 低导通,特别适合 USB Type-C 5V 输入保护、电池充电前端保护、车载/工业 12V 降压前的预保护。

智能推荐候选型号

(按兼容类型 + 场景适配度排序,前 8 个)
#1SC1812-420CSMD功能兼容
相似度
75%
SOCAY硕凯 · 1812
深度对比
推荐理由:SC1812-420CSMD 功能兼容 SC1812-600CSMD,相似度 75%,6 项参数匹配。需注意 直流击穿电压Vs@100V/S:差异较大(35%),需重点评估。
核心参数匹配 (6)
冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/封装
参数差异 (3)
  • 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(35%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(20%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异18%,需确认设计余量
#2SC1812-400CSMD功能兼容
相似度
75%
SOCAY硕凯 · 1812
深度对比
推荐理由:SC1812-400CSMD 功能兼容 SC1812-600CSMD,相似度 75%,6 项参数匹配。需注意 直流击穿电压Vs@100V/S:差异较大(35%),需重点评估。
核心参数匹配 (6)
冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/封装
参数差异 (3)
  • 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(35%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(20%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异18%,需确认设计余量
#3SC1812-300CSMD相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · 1812
深度对比
推荐理由:SC1812-300CSMD 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/封装
参数差异 (3)
  • 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(67%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(32%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(29%),需重点评估
#4SC1812-200CSMD相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · 1812
深度对比
推荐理由:SC1812-200CSMD 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/封装
参数差异 (3)
  • 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(100%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(59%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(46%),需重点评估
#5SC1812-75CSMD相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · 1812
深度对比
推荐理由:SC1812-75CSMD 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/封装
参数差异 (3)
  • 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(156%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(59%),需重点评估
  • 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(53%),需重点评估
#6SC2E5-600LSMD相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · 5.0*5.0*4.2mm
深度对比
推荐理由:SC2E5-600LSMD 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz
参数差异 (3)
  • 弧光电压@1A: 差异较大(29%),需重点评估
  • 放电电流@8/: SC2E5-600LSMD显著更优(高86%)
  • 封装: 封装不同,需重新设计PCB
#7SC2E5-600LL相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · φ5.5*6mm
深度对比
推荐理由:SC2E5-600LL 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz
参数差异 (3)
  • 弧光电压@1A: 差异较大(29%),需重点评估
  • 放电电流@8/: SC2E5-600LL显著更优(高86%)
  • 封装: 封装不同,需重新设计PCB
#8SC2E5-600L相似参考
相似度
63%
SOCAY硕凯 · φ5.5*6mm
深度对比
推荐理由:SC2E5-600L 相似度 63%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (5)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz
参数差异 (3)
  • 弧光电压@1A: 差异较大(29%),需重点评估
  • 放电电流@8/: SC2E5-600L显著更优(高86%)
  • 封装: 封装不同,需重新设计PCB

核心参数对比

(基于产品规格参数表 + D 盘规格书)
参数
SC1812-600CSMD
当前型号
SC1812-420CSMD
SOCAY硕凯
SC1812-400CSMD
SOCAY硕凯
SC1812-300CSMD
SOCAY硕凯
SC1812-200CSMD
SOCAY硕凯
SC1812-75CSMD
SOCAY硕凯
封装181218121812181218121812
直流击穿电压Vs@100V/S600V±20%420V±20%420V±20%300V±20%200V±20%75V±30%
冲击击穿电压@100V/μS1100V900V900V800V600V600V
冲击击穿电压@1KV/μS1200V1000V1000V900V750V700V
绝缘电阻1 GΩ (at 100V DC)1 GΩ (at 100V DC)1 GΩ (at 100V DC)1 GΩ (at 100V DC)1 GΩ (at 100V DC)1 GΩ (at 50V DC)
结电容Cj@1MHz1.0pF1.0pF1.0pF1.0pF1.0pF1.0pF
弧光电压@1A15V15V15V15V15V15V
放电电流@8/2KA2KA2KA2KA2KA2KA

暂无 SC1812-600CSMD 的国产替代映射

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