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Pin-to-Pin 兼容
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功能兼容
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国产替代
AI 智能选型推荐
基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐
便携设备 5V 输入保护
SA8206 36V 输入耐压 + 6.0V 过压阈值 + 2.5A 过流 + 50ns OVP 响应 + 140mΩ 低导通，特别适合 USB Type-C 5V 输入保护、电池充电前端保护、车载/工业 12V 降压前的预保护。
智能推荐候选型号
（按兼容类型 + 场景适配度排序，前 8 个）SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-400ASMD 与 SC1206-470ASMD Pin-to-Pin 完全兼容，9 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (9)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+3
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异16%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异11%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异10%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-420ASMD 与 SC1206-470ASMD Pin-to-Pin 完全兼容，9 项核心参数匹配，封装一致。可直接替换，无需修改 PCB 与 BOM，特别适合紧急供应链备份。
核心参数匹配 (9)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A+3
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异11%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异11%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 数值差异10%，需确认设计余量
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-150ASMD 相似度 67%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (6)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/冲击放电电压@10/封装
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(103%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(45%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(40%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-200ASMD 相似度 67%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (6)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/冲击放电电压@10/封装
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(81%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(38%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(33%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-230ASMD 相似度 67%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (6)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/冲击放电电压@10/封装
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(69%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(38%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(33%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-350ASMD 相似度 67%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (6)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/冲击放电电压@10/封装
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(29%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(24%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(21%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · 1206
推荐理由：SC1206-300ASMD 相似度 67%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (6)
绝缘电阻结电容Cj@1MHz弧光电压@1A放电电流@8/冲击放电电压@10/封装
参数差异 (3)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 差异较大(44%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@100V/μS: 差异较大(30%)，需重点评估
- 冲击击穿电压@1KV/μS: 差异较大(27%)，需重点评估
SOCAY硕凯 · 1812
推荐理由：SC1812-420CSMD 相似度 50%，可作为备选参考，建议索取样品验证。
核心参数匹配 (4)
直流击穿电压Vs@100V/S冲击击穿电压@100V/μS冲击击穿电压@1KV/μS绝缘电阻
参数差异 (6)
- 直流击穿电压Vs@100V/S: 数值差异11%，需确认设计余量
- 冲击击穿电压@100V/μS: 数值差异5%，需确认设计余量
- 结电容Cj@1MHz: 差异较大(67%)，需重点评估
- …另有 3 项
核心参数对比
（基于产品规格参数表 + D 盘规格书）| 参数 | SC1206-470ASMD 当前型号 | SC1206-400ASMD SOCAY硕凯 | SC1206-420ASMD SOCAY硕凯 | SC1206-150ASMD SOCAY硕凯 | SC1206-200ASMD SOCAY硕凯 | SC1206-230ASMD SOCAY硕凯 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | 1206 | 1206 | 1206 | 1206 | 1206 | 1206 |
| 直流击穿电压Vs@100V/S | 470V±30% | 400V±30% | 420V±30% | 150V±30% | 200V±30% | 230V±30% |
| 冲击击穿电压@100V/μS | 950V | 850V | 850V | 600V | 650V | 650V |
| 冲击击穿电压@1KV/μS | 1050V | 950V | 950V | 700V | 750V | 750V |
| 绝缘电阻 | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 50V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) | 1 GΩ (at 100V DC) |
| 结电容Cj@1MHz | 0.5pF | 0.5pF | 0.5pF | 0.5pF | 0.5pF | 0.5pF |
| 弧光电压@1A | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 放电电流@8/ | 0.5KA | 0.5KA | 0.5KA | 0.5KA | 0.5KA | 0.5KA |
| 冲击放电电压@10/ | 4KV | 4KV | 4KV | 4KV | 4KV | 4KV |
暂无 SC1206-470ASMD 的国产替代映射
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