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Pin-to-Pin 兼容
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功能兼容
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国产替代
AI 智能选型推荐
基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐
智能推荐候选型号
(按兼容类型 + 场景适配度排序,前 8 个)NXP恩智浦 · LQFP-100 · 起步价 ¥26.93(+952%)
推荐理由:NXP恩智浦 LPC1768FBD100 是国产替代首选,核心参数(SRAM容量、工作温度、工作电压)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本。
核心参数匹配 (4)
SRAM容量工作温度工作电压通信接口
参数差异 (7)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: LPC1768FBD100显著更优(高70%)
- Flash容量: LPC1768FBD100显著更优(高120%)
- …另有 4 项
ST意法半导体 · QFN-32 · 起步价 ¥2.88(+12%)
推荐理由:ST意法半导体 STM32F031K6U6 是国产替代首选,核心参数(主频、工作电压、封装)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(47013 件)。
核心参数匹配 (3)
主频工作电压封装
参数差异 (5)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: STM32F031K6U6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: STM32F031K6U6较低,可能不满足需求
- …另有 2 项
ST意法半导体 · QFN-32 · 起步价 ¥2.88(+12%)
推荐理由:ST意法半导体 STM32F051K8U6 是国产替代首选,核心参数(主频、工作电压、封装)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(24590 件)。
核心参数匹配 (3)
主频工作电压封装
参数差异 (5)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: STM32F051K8U6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: STM32F051K8U6较低,可能不满足需求
- …另有 2 项
ST意法半导体 · LQFP-144 · 起步价 ¥48.00(+1774%)
推荐理由:ST意法半导体 STM32H730ZBT6 是国产替代首选,核心参数(Flash容量、SRAM容量、工作电压)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本。
核心参数匹配 (3)
Flash容量SRAM容量工作电压
参数差异 (5)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: STM32H730ZBT6显著更优(高164%)
- 封装: 参数不同,需确认兼容性
- …另有 2 项
ST意法半导体 · LQFP-48 · 起步价 ¥10.41(+306%)
推荐理由:ST意法半导体 STM32F103C8T6 是国产替代首选,核心参数(工作温度、工作电压、通信接口)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(8530 件)。
核心参数匹配 (3)
工作温度工作电压通信接口
参数差异 (7)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: STM32F103C8T6显著更优(高40%)
- Flash容量: STM32F103C8T6较低,可能不满足需求
- …另有 4 项
ST意法半导体 · LQFP-100 · 起步价 ¥34.89(+1262%)
推荐理由:ST意法半导体 STM32F407VET6 是国产替代首选,核心参数(工作温度、工作电压、通信接口)与 HC32F160128QFN32 匹配。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本。
核心参数匹配 (3)
工作温度工作电压通信接口
参数差异 (7)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: STM32F407VET6显著更优(高111%)
- Flash容量: STM32F407VET6显著更优(高120%)
- …另有 4 项
华大半导体 · LQFP-64 · 起步价 ¥15.67(+512%)
推荐理由:HC32F460JETA 相似度 44%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (4)
SRAM容量工作温度工作电压通信接口
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: HC32F460JETA显著更优(高111%)
- Flash容量: HC32F460JETA显著更优(高120%)
- …另有 3 项
兆易创新 · LQFP-48 · 起步价 ¥7.58(+196%)
推荐理由:GD32F103C8T6 相似度 33%,可作为备选参考,建议索取样品验证。
核心参数匹配 (3)
工作温度工作电压通信接口
参数差异 (8)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- 主频: GD32F103C8T6显著更优(高77%)
- Flash容量: GD32F103C8T6较低,可能不满足需求
- …另有 5 项
核心参数对比
(基于产品规格参数表 + D 盘规格书)| 参数 | HC32F160128QFN32 当前型号 | LPC1768FBD100 NXP恩智浦 | STM32F031K6U6 ST意法半导体 | STM32F051K8U6 ST意法半导体 | STM32H730ZBT6 ST意法半导体 | STM32F103C8T6 ST意法半导体 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | QFN-32 | LQFP-100 | QFN-32 | QFN-32 | LQFP-144 | LQFP-48 |
| 封装 | QFN32 | LQFP-100 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 |
| 工作电压 | 2.0~3.6V | 2.4~3.6 | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.0~3.6 |
| 工作温度 | -40~85 | -40~85 | - | - | - | -40~85 |
| 主频 | 48MHz | 100 | 48MHz | 48MHz | 480MHz | 72 |
| 通信接口 | USART/SPI/I2C | UART/SPI/I2C/USB/CAN/Ethernet | - | - | - | USART/SPI/I2C/USB/CAN |
| 内核架构 | Cortex-M0+ | Cortex-M3 | ARM Cortex-M0 | ARM Cortex-M0 | ARM Cortex-M7 | Cortex-M3 |
| Flash容量 | 128KB | 512 | 32KB | 64KB | 128KB | 64 |
| SRAM容量 | 64KB | 64 | 4KB | 8KB | 64KB | 20 |
| I/O数量 | - | 70 | 32 | 32 | 144 | 37 |
| ADC | - | 12位 | - | - | - | 12位 |
暂无 HC32F160128QFN32 的国产替代映射
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