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国产替代
AI 智能选型推荐
基于产品类型、规格参数、应用场景的智能推荐
智能推荐候选型号
(按兼容类型 + 场景适配度排序,前 8 个)兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230F4P6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(44755 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230F4P6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230F4P6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230G4U6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(23251 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230G4U6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230G4U6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230G6U6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(20472 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230G6U6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230G6U6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230K6T6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230K6T6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230K6T6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230K8T6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(34690 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230K8T6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230K8T6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230F6P6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(15618 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230F6P6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230F6P6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · QFN-28 · 起步价 ¥1.92(-93%)
推荐理由:兆易创新 GD32E230F8P6 是国产替代首选,核心参数(主频、I/O数量、封装)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 93%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(34824 件)。
核心参数匹配 (4)
主频I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32E230F8P6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32E230F8P6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
兆易创新 · LQFP-48 · 起步价 ¥7.58(-74%)
推荐理由:兆易创新 GD32F103C8T6 是国产替代首选,核心参数(I/O数量、封装、工作电压)与 STM32WLE5JC 匹配,价格低 74%。在保证兼容性的同时,有效降低供应链风险与采购成本,且库存更充足(15200 件)。
核心参数匹配 (3)
I/O数量封装工作电压
参数差异 (6)
- 内核架构: 参数不同,需确认兼容性
- Flash容量: GD32F103C8T6较低,可能不满足需求
- SRAM容量: GD32F103C8T6较低,可能不满足需求
- …另有 3 项
核心参数对比
(基于产品规格参数表 + D 盘规格书)| 参数 | STM32WLE5JC 当前型号 | GD32E230F4P6 兆易创新 | GD32E230G4U6 兆易创新 | GD32E230G6U6 兆易创新 | GD32E230K6T6 兆易创新 | GD32E230K8T6 兆易创新 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | UFQFPN-32 | QFN-28 | QFN-28 | QFN-28 | QFN-28 | QFN-28 |
| 封装 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 | LQFP-48 |
| 工作电压 | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V | 2.7-3.6V |
| 主频 | 64MHz | 72MHz | 72MHz | 72MHz | 72MHz | 72MHz |
| 内核架构 | ARM Cortex-M4+M0 | ARM Cortex-M23 | ARM Cortex-M23 | ARM Cortex-M23 | ARM Cortex-M23 | ARM Cortex-M23 |
| Flash容量 | 128KB | 32KB | 32KB | 32KB | 32KB | 32KB |
| SRAM容量 | 32KB | 8KB | 8KB | 8KB | 8KB | 8KB |
| I/O数量 | 32 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
暂无 STM32WLE5JC 的国产替代映射
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